また、シミュレーションのパーツライブラリの都合で、修理おじさんの回路とはFETが異なるのは悪しからず。一応、似たような特性のを使っている。
評価回路その1
Pch-MOS FETのソースに抵抗を入れただけの簡単な回路。
その1の周波数特性
高域の伸びが素晴らしい。カーブも綺麗で素性の良さを感じる。
その1の歪率
Total Harmonic Distotion: 0.040119%
これは、32Ω負荷で2Vpp出力時である。利得無し、負帰還無しで0.1%を切ってるのはなかなかではないだろうか。
次に、Nch-MOS FETを利用し、ソースに定電流源を使った回路を検証してみる。
評価回路その2
Nch-MOS FETのソースに定電流源を入れただけの簡単な回路。
その2の周波数特性
どこまでも伸びる高域。。。
その1とは全然違う高域のカーブである。これはシミュレーションで使った素子の違いが出ているのだろうか。
その2の歪率
Total Harmonic Distotion: 0.047866%
これも、32Ω負荷で2Vpp出力時である。その1より電圧が低く不利なはずなのに、その1とほとんど変わらない値である。
修理おじさんも書いてあるが、パワー感以外の違いを感じられないのは、シミュレーション結果でも現れている。
修理おじさんのおかげで、1石 MOS FETのソースフォロワーの奥深さを知ることができた。感謝。
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